■ 设备用途：

通过高能离子（Ar）轰击靶材，分离成原子进而转化成气相沉积到基板上。通过结合阴极溅射材料和其他气体，将多种涂层沉积在基材上。可以应用于导电膜、介电成膜、绝缘膜、钝化、保护膜等沉积。

■ 设备参数：

靶间距可调：基片和靶材之间的距离30～140mm可调整，以适应不同靶材的成膜工艺的距离要求。

角度可调：磁控溅射靶头可调角度，以便针对不同尺寸基片的均匀性。

匀气技术：工艺气体采用匀气技术，气场更均匀，镀膜更均匀。

基片架公转速度 ：2 ～100 转 / 分钟，可控可调；基片自转速度：2 ～20 转 / 分钟。

镀膜室的极限真空：6X10-5Pa，恢复工作背景真空 7X10-4Pa ，30 分钟左右（新设备充干燥氮气）。

设备总体漏放率：关机 12 小时真空度≤10Pa。

■ 技术优势：

(1) 可以溅射多种材料

(2) 多种工艺变量可用

(3) 光滑的涂层

(4) 好的涂层结合力