■设备用途：PECVD设备（等离子体增加化学气相沉积PECVD）主要用于在洁净真空环境下进行氮化硅和氧化硅的薄膜生长；采用单频或双频等离子增强型化学气相沉积技术，是沉积高质量的氮化硅、氧化硅等薄膜的理想工艺设备。

■设备参数：

样片尺寸：≤φ8英寸（或3片2英寸）

样片加热台加热温度：室温～ 600℃±0.1℃

真空室极限真空：≤7×10-5Pa

工作背景真空：≤8×10-4Pa

设备总体漏放率：停泵12小时后，真空度≤10Pa

样品、电极间距：5mm ～ 50mm在线可调

工作控制压强：10Pa ～ 1500Pa

单频电源的频率：13.56MHz

双频电源的频率：13.56MHz/400kHz